本標準用詞及符號，定義如下：
一、半導體製造業：指從事積體電路晶圓製造、晶圓封裝、磊晶、光罩製
    造、導線架製造等作業者。
二、積體電路晶圓製造作業（ Wafer Fabrication）：指將各種規格晶圓
    生產各種用途之晶圓之作業，包括經由物理氣相沈積（Physical Vap
    or Deposition）、化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition）、
    光阻、微影（Photolithography）、蝕刻（ Etching）、擴散、離子
    植入（Ion Implantation）、氧化與熱處理等製程。
三、積體電路晶圓封裝作業（ Wafer Package）：指將製造完成之各種用
    途之晶圓生產成為半導體產品之作業，包括經由切割成片狀的晶粒（
    Dice），再經焊接、電鍍、有機溶劑清洗和酸洗等製程。
四、光阻劑：指實施積體電路晶圓製造之選擇蝕刻時，所需耐酸性之感光
    劑。
五、光阻製程：指晶圓經過光阻劑的塗佈、曝光、顯像，使晶圓上形成各
    類型電路的製程。
六、揮發性有機物：指在一大氣壓下，測量所得初始沸點在攝氏二百五十
    度以下有機化合物之空氣污染物總稱。但不包括甲烷、一氧化碳、二
    氧化碳、二硫化碳、碳酸、碳酸鹽、碳酸銨、氰化物及硫氰化物等化
    合物。
七、密閉集氣系統：指可將製程、污染源或設備元件排出或逸散出之空氣
    污染物，捕集並使傳送之氣體不直接與大氣接觸之系統。該系統包括
    集氣設備、管線及連接裝置。
八、排放削減率：指空氣污染物經污染防制設備處理後之排放量削減百分
    比，依同步監測或檢測污染防制設備前端及後端廢氣濃度及排放量進
    行計算，其計算公式如下：
    R＝（E–E0）x100％
    R：排放削減率。
    E ：經密閉集氣系統進入污染防制設備前之空氣污染物單位小時排放
        量；單位為kg／hr。
    E0：經污染防制設備後逕排入大氣之空氣污染物單位小時排放量；單
        位為kg／hr。
九、既存製程：指本標準發布施行日前已建造完成、建造中、已完成工程
    招標程序或未經招標程序已訂立工程施作契約之半導體製造業製程。
十、新設製程：指本標準發布施行日起設立之半導體製程，及既存半導體
    製程符合固定污染源設置操作及燃料使用許可證管理辦法規定之變更
    條件者。
十一、揮發性有機物原（物）料年用量：指單一公私場所屬第一款所列對
      象，其所有固定污染源操作許可證登載之各項原（物）料許可核定
      最大設計量乘以各該項原（物）料揮發性有機物成分百分比後之加
      總；其單位為公噸／年。
十二、工廠總排放量：指同一廠場周界內每小時所有排放管道排放單一空
      氣污染物之總和；單位為kg／hr。
十三、每季有效監測率：（每季污染源操作小時數 -每季污染源操作期間
      流量計或濃度監測器失效小時數）／每季污染源操作小時數。
十四、流量計：任何可直接或間接測得廢氣排放體積流量之設施。

一、序文酌作文字修正。
二、第一款至第五款未修正。
三、參照揮發性有機物空氣污染管制及排放標準並因應本標準適用對象之
    管理需求，酌修第六款、第七款及第十款規定，並移列第十款至修正
    條文第八款。
四、空氣污染防制設備之定義已於空氣污染防制法（以下簡稱本法）施行
    細則第十六條明定，無再予規範之必要，爰刪除第八款規定。
五、參照固定污染源設置操作及燃料使用許可證管理辦法規定，分別於修
    正條文第九款及第十款增訂既存及新設製程製程規定。
六、參照膠帶製造業揮發性有機物空氣污染管制及排放標準規定，原（物
    ）料揮發性有機物用量應考量適用本標準相關程序之實際揮發性有機
    物成分含量，爰增訂修正條文第十一款揮發性有機物原（物）料年用
    量之定義。
七、第九款、第十五款及第十六款次序變更，並酌作文字修正。
八、第十一款至第十四款用詞定義配合第四條修正替代認可規範，爰予刪
    除。