本標準依空氣污染防制法第二十條第二項及第二十三條第二項規定訂定之
。

配合一百十一年六月六日修正發布之固定污染源自行或委託檢測及申報管
理辦法，以及同日訂定公告之公私場所應定期檢測及申報之固定污染源規
定，將涉及定期檢測規定事項回歸由該辦法及公告整合管理，爰刪除空氣
污染防制法第二十二條第二項授權規定。

本標準用詞及符號，定義如下：
一、半導體製造業：指從事積體電路晶圓製造、晶圓封裝、磊晶、光罩製
    造、導線架製造等作業者。
二、積體電路晶圓製造作業（ Wafer Fabrication）：指將各種規格晶圓
    生產各種用途之晶圓之作業，包括經由物理氣相沈積（Physical Vap
    or Deposition）、化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition）、
    光阻、微影（Photolithography）、蝕刻（ Etching）、擴散、離子
    植入（Ion Implantation）、氧化與熱處理等製程。
三、積體電路晶圓封裝作業（ Wafer Package）：指將製造完成之各種用
    途之晶圓生產成為半導體產品之作業，包括經由切割成片狀的晶粒（
    Dice），再經焊接、電鍍、有機溶劑清洗和酸洗等製程。
四、光阻劑：指實施積體電路晶圓製造之選擇蝕刻時，所需耐酸性之感光
    劑。
五、光阻製程：指晶圓經過光阻劑的塗佈、曝光、顯像，使晶圓上形成各
    類型電路的製程。
六、揮發性有機物：指在一大氣壓下，測量所得初始沸點在攝氏二百五十
    度以下有機化合物之空氣污染物總稱。但不包括甲烷、一氧化碳、二
    氧化碳、二硫化碳、碳酸、碳酸鹽、碳酸銨、氰化物及硫氰化物等化
    合物。
七、密閉集氣系統：指可將製程、污染源或設備元件排出或逸散出之空氣
    污染物，捕集並使傳送之氣體不直接與大氣接觸之系統。該系統包括
    集氣設備、管線及連接裝置。
八、排放削減率：指空氣污染物經污染防制設備處理後之排放量削減百分
    比，依同步監測或檢測污染防制設備前端及後端廢氣濃度及排放量進
    行計算，其計算公式如下：
    R＝（E–E0）x100％
    R：排放削減率。
    E ：經密閉集氣系統進入污染防制設備前之空氣污染物單位小時排放
        量；單位為kg／hr。
    E0：經污染防制設備後逕排入大氣之空氣污染物單位小時排放量；單
        位為kg／hr。
九、既存製程：指本標準發布施行日前已建造完成、建造中、已完成工程
    招標程序或未經招標程序已訂立工程施作契約之半導體製造業製程。
十、新設製程：指本標準發布施行日起設立之半導體製程，及既存半導體
    製程符合固定污染源設置操作及燃料使用許可證管理辦法規定之變更
    條件者。
十一、揮發性有機物原（物）料年用量：指單一公私場所屬第一款所列對
      象，其所有固定污染源操作許可證登載之各項原（物）料許可核定
      最大設計量乘以各該項原（物）料揮發性有機物成分百分比後之加
      總；其單位為公噸／年。
十二、工廠總排放量：指同一廠場周界內每小時所有排放管道排放單一空
      氣污染物之總和；單位為kg／hr。
十三、每季有效監測率：（每季污染源操作小時數 -每季污染源操作期間
      流量計或濃度監測器失效小時數）／每季污染源操作小時數。
十四、流量計：任何可直接或間接測得廢氣排放體積流量之設施。

一、序文酌作文字修正。
二、第一款至第五款未修正。
三、參照揮發性有機物空氣污染管制及排放標準並因應本標準適用對象之
    管理需求，酌修第六款、第七款及第十款規定，並移列第十款至修正
    條文第八款。
四、空氣污染防制設備之定義已於空氣污染防制法（以下簡稱本法）施行
    細則第十六條明定，無再予規範之必要，爰刪除第八款規定。
五、參照固定污染源設置操作及燃料使用許可證管理辦法規定，分別於修
    正條文第九款及第十款增訂既存及新設製程製程規定。
六、參照膠帶製造業揮發性有機物空氣污染管制及排放標準規定，原（物
    ）料揮發性有機物用量應考量適用本標準相關程序之實際揮發性有機
    物成分含量，爰增訂修正條文第十一款揮發性有機物原（物）料年用
    量之定義。
七、第九款、第十五款及第十六款次序變更，並酌作文字修正。
八、第十一款至第十四款用詞定義配合第四條修正替代認可規範，爰予刪
    除。

本標準適用於半導體製造業。但半導體製造業原（物）料年用量小於下表
所列者，該項物質不適用本標準之規定：

（圖表內容請參閱附件一）

酌作文字修正。

半導體製造業產生之空氣污染物應經密閉集氣系統收集，並應符合下表規
定後始得排放：

（圖表內容請參閱附件二）

前項硝酸、鹽酸、磷酸、氫氟酸及硫酸等排放之廢氣，因安全之虞而無法
證明符合前項標準時，應檢具相關證明文件佐證具備同等處理效果或較優
之控制條件，向直轄市、縣（市）主管機關申請替代認可。

一、第一項序文參照第二條第七款用詞定義修正說明及考量當前空氣污染
    防制現況與管理機制，酌作文字修正。
二、考量第一項表列排放標準係以相同全廠排放量規範不同規模事業之排
    放標準，欠具環保與產能之管理彈性，亦使主管機關之查核作業不易
    執行，爰刪除工廠總排放量之表列排放標準，增訂各污染物個別排放
    管道揮發性有機物、硝酸、鹽酸、磷酸、氫氟酸及硫酸之濃度標準。
    此外，為督促新建廠房或新設置製程應選擇污染排放較低或防制效能
    較佳之設備，故分別訂定既存及新設製程排放標準，以差別化管理方
    式提升空氣污染防制成效。
三、針對有害空氣污染物排放之管理，已於一百十年二月二十六日參照健
    康風險評估方式訂定發布固定污染源有害空氣污染物排放標準，其中
    針對三氯乙烯已明定排放管道及周界之共通性規範，爰刪除第一項表
    列三氯乙烯排放標準規定。
四、第二項明定替代規範之適用對象僅限於前項硝酸、鹽酸、磷酸、氫氟
    酸及硫酸等空氣污染物處理具安全之虞者，並應檢具相關證明文件經
    直轄市、縣（市）主管機關核准後，始得為之，又僅以洗滌塔數項操
    作參數替代認可為有效防制空氣污染與實際管理需求不符，無再予規
    範之必要，爰予刪除。

依前條規定收集之廢氣，於污染防制設備之廢氣導入處或排放管道排放口
應設置流量計及濃度監測器，其設置規定如下：
一、適用本標準之半導體製造業均應設置流量計。
二、揮發性有機物原（物）料年用量大於二十五噸或工廠總排放量大於每
    小時零點六公斤者，屬既存製程其揮發性有機物排放大於十四 ppm或
    屬新設製程其揮發性有機物排放大於十 ppm之排放管道，應設置揮發
    性有機物濃度監測器證明符合本標準排放削減率。既存製程與新設製
    程合併設置排放管道者，以新設製程之設置規定認定之。
三、流量計及濃度監測器之有效每季監測率應大於八十％，每年至少以標
    準檢測方法比測一次，比測時間每次至少二小時，所設置之流量計及
    濃度監測器所得之結果應以上次比測結果修正之。
未能依前項規定設置流量計及濃度監測器之排放管道，公私場所得提出其
他可證明其排放污染物符合前條排放標準規定之替代方案，報請直轄市、
縣（市）主管機關同意後，不在此限。

一、第一項序文配合前條第一項規定，並酌作文字修正。
二、第一項第一款明定應設置流量計之對象，其應設置位置併入序文明敘
    。
三、第一項第二款係依據產業現況調查結果配合第二條第十一款明定原（
    物）料揮發性有機物用量係實際揮發性有機物成分含量，爰修正應設
    置相關排放監測器者，以揮發性有機物原（物）料年用量二十五公噸
    以上為門檻，同時整併第三款工廠總排放量大於每小時零點六公斤（
     0.6kg／hr）者，適用相同規範。另考量應以排放濃度高且易致污染
    之虞者作為應設置相關排放監測器之對象，俾善用排放監測管理資源
    ，爰明定揮發性有機物既存製程排放濃度大於十四 ppm或新設製程排
    放濃度大於十 ppm而擇用排放削減率作為排放標準者應依規定設置，
    落實空氣污染排放精準管理。
四、配合第一項第二款及第三款整併修正，第一項第四款遞移至第三款。
五、考量前條增訂既存及新設製程排放標準，並配合前項針對排放濃度高
    且易致污染之虞者明定其為應設置相關排放監測器之對象，爰公私場
    所尚有確認應否安裝監測器設置安裝之需求，並授權直轄市、縣（市
    ）主管機關可針對無法依規定之特殊情形，經審核公私場所檢具之替
    代方案後，准予免設置，爰酌修第二項規定。

揮發性有機物、三氯乙烯、硝酸、硫酸、鹽酸、磷酸、氫氟酸等之紀錄、
保存與申報規定如下：
一、空氣污染物輸入量（以溶劑或其他型式輸入製程之量）、輸出量（隨
    廢溶劑、廢棄物、廢水或其他型式輸出製程之量）、污染防制設備削
    減量等資料應每月記錄。
二、污染防制設備為酸鹼洗滌吸收設施者，應記錄保養維護事項，並每日
    記錄各洗滌槽洗滌循環水量及pH值。
三、污染防制設備為清水洗滌吸收設施者，應記錄保養維護事項，並每日
    記錄各洗滌槽洗滌循環水量及廢水排放流量。
四、污染防制設備為冷凝器者，應每月記錄冷凝液量及每日記錄冷凝器出
    口溫度。
五、污染防制設備為生物處理設施者，應記錄保養維護事項，以確保該設
    施之狀態適合生物生長代謝，並每日記錄處理氣體風量、進口溫度及
    出口相對濕度。
六、污染防制設備為熱焚化爐者，應每日記錄燃燒溫度。
七、污染防制設備為觸媒焚化爐者，應記錄觸媒種類、觸媒床更換日期，
    並每日記錄觸媒床進、出口氣體溫度。
八、以其他污染防制設備處理者，應記錄保養維護事項，並每日記錄主要
    操作參數。
九、應設置流量計及濃度監測器者，其流量及濃度監測結果應根據前次比
    測結果修正後計算排放削減率及排放量，並每日記錄小時平均值及日
    平均值。
十、前九款之紀錄需以電子化方式保存備查至少六年，並依中央主管機關
    規定之格式於每年一、四、七、十月月底前向當地主管機關申報上一
    季之紀錄。主管機關得適時調整申報內容及頻率。

一、序文酌作文字修正。
二、第二款及第三款配合第四條修正替代認可規範，酌作文字修正。
三、第九款係配合前條流量計及濃度監測器設置規定，或本法授權相關應
    設置流量計或濃度監測器（如公私場所固定污染源設置排放監控設施
    後申請免實施例行性定期檢測者）之實際管理需求，調整監測結果修
    正計算及應記錄事項規定。
四、配合一百十一年六月六日公告訂定公私場所應定期檢測及申報之固定
    污染源，已針對本法涉檢測相關規定進行整合管理，故刪除第十款及
    第十一款規定，第十二款紀錄保存時間係配合固定污染源許可制度規
    定，爰修正為保存備查至少六年使其規範一致，並遞移為第十款同時
    酌作文字修正。

既存製程未能符合第四條排放標準或第五條設置規定者，公私場所應於本
標準修正施行後六個月內，檢具空氣污染改善計畫，向直轄市、縣（市）
主管機關申請核定改善期限，並應於期限屆滿前完成改善至符合本標準之
規定。
前項空氣污染改善計畫至少應包含製程原（物）料、設施或防制設備改善
種類、構造、效能、流程、設計圖說、設置經費及進度，且其改善期限不
得逾十八個月。
未能於第一項核定改善期限內完成改善者，公私場所得於期限屆滿前一至
三個月內，檢具展延說明、規劃及變更改善計畫，向直轄市、縣（市）主
管機關申請核准展延改善期限，展延之改善期限不得逾十二個月。但展延
改善經直轄市、縣（市）主管機關另予核准改善期限者，不在此限。

一、本條新增。
二、第一項配合本標準修正條文第四條增訂個別排放管道濃度標準及修正
    條文第五條調整應設置相關排放監測器相關規定，為消弭因應本標準
    增訂規範造成之衝擊，爰明定因應改善之緩衝期限規定。
三、第二項明定前項空氣污染改善計畫至少應包含事項，以及直轄市、縣
    （市）主管機關得核定之改善期程上限。
四、第三項係針對公私場所未能如期於第一項核定之改善期限內完成改善
    者，訂定得提出展延申請之規定，以及授權直轄市、縣（市）主管機
    關核定之展延改善期程上限。另因應公私場所有不同介質間（空氣、
    水或廢棄物等）之整體性污染防制（治）改善需求者，經直轄市、縣
    （市）主管機關另予核准改善期限者，不受展延改善期限之限制。

本標準自發布日施行。

條次變更，酌作文字修正。